TAG标签 - 设为首页 - 加入收藏 欢迎访问酷格网(www.cogew.com)

#
广告位 1200*90
当前位置:主页 > 电脑家电 >

投资380亿元!Intel大连工厂二期投产96层3D闪存

时间:2018-09-26 13:09|来源:快科技|编辑:上方文Q|点击:

据媒体报道,9月21日,Intel大连非易失性存储二期项目投产启动仪式在大连举行。

2006年7月,Intel与大连市政府达成总发展协议,随后建设了占地面积60公顷的300毫米晶圆厂Fab 68,2010年建成,主要用于处理器的封装测试。

2015年10月,Fab 68二期项目落地,投资55亿美元(约合人民币380亿元),主要用来生产NAND闪存芯片,如今不到三年就顺利实现建成投产,创造了Intel工厂建设历史的新纪录。

在启动仪式上,Intel宣布新工厂将采用世界最先进的96层堆叠3D NAND闪存芯片制造技术实现量产。

据悉,Fab 68工厂未来将成为Intel NAND闪存的最核心生产基地,会贡献大约70%的产能。

目前的全球NAND闪存市场上,三星以37%的份额遥遥领先,然后是东芝、西数、美光、SK海力士,Intel则还不到10%,其固态存储产品也主要集中在企业级、数据中心市场上,消费级领域基本已不见踪影。

不知道有了大连工厂的支撑,Intel SSD能否在消费市场上再次开辟一天新天地呢?

投资380亿元!Intel大连工厂二期投产96层3D闪存

网友评论
OPPO R15
#
#
广告位 1200*90

网站简介 - 网站声明 - 广告服务 - 合作伙伴 - 联系我们

酷格网 www.cogew.com 邮箱:zhangzhen071190@126.com

辽ICP备18000653号-1辽公网安备 21011402000161号